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D512SYGWA/S530-E2 发布时间 时间:2025/8/29 7:31:48 查看 阅读:3

D512SYGWA/S530-E2 是由东芝(Toshiba)生产的一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,适用于高效率的功率管理与转换应用。这款MOSFET采用先进的封装技术,具备较高的电流承载能力和较低的导通电阻,适合在电源管理模块、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场景中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):5.1A
  最大漏源电压(VDS):200V
  导通电阻(RDS(on)):0.88Ω(最大)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2.0V至4.0V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:SIP(单列直插封装)
  功耗(PD):30W

特性

D512SYGWA/S530-E2 MOSFET 具备多项优异特性,使其在多种功率电子设备中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流应用中最小的功率损耗,从而提高了系统的整体效率。其次,该器件的最大漏源电压(VDS)为200V,能够承受较高的电压应力,适用于高压环境下的功率转换任务。此外,该MOSFET的栅极阈值电压范围适中(2.0V至4.0V),能够在常见的驱动电路条件下实现稳定的导通与关断控制,降低设计复杂度。
  该器件采用了高可靠性的SIP封装技术,不仅增强了机械稳定性,还简化了PCB布局设计,降低了安装和维护成本。其最大漏极电流为5.1A,使得它能够在中高功率应用中稳定运行,如电源适配器、DC-DC转换器、电机控制电路等。同时,D512SYGWA/S530-E2的宽工作温度范围(-55°C至+150°C)使其能够在极端温度环境下正常工作,增强了其在工业级应用中的适用性。
  此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在高温条件下维持性能稳定,减少因温度变化引起的性能波动。这使其非常适合用于要求长时间稳定运行的系统中,例如工业自动化设备、通信电源模块以及汽车电子系统。

应用

D512SYGWA/S530-E2 MOSFET 主要应用于需要中高功率开关控制的电子设备中。常见的应用包括电源管理系统、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、负载开关控制、LED照明驱动电路、工业自动化设备及汽车电子系统等。其高压、高电流承载能力以及低导通电阻的特性,使其成为各类高效能功率转换与管理应用的理想选择。

替代型号

2SK2545, 2SK1173, IRF840, 2SK2141

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