时间：2025/9/14 21:48:39
阅读：6
BUK7K8R7-40EX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专门设计用于高电流、高效率的应用场景，例如汽车电子系统、电源管理和电机控制。其40V的漏源电压（VDS）和低导通电阻（RDS(on)）使其在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗。该MOSFET采用无铅、符合RoHS标准的封装，适用于现代环保电子产品的设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：40V
最大漏极电流（ID）：160A
导通电阻（RDS(on)）：8.7mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
BUK7K8R7-40EX具备多项优良特性，适合多种高功率应用场景。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作条件下，MOSFET的导通损耗降至最低，从而提高了整体系统的能效。这在电源转换器、电机驱动器和电池管理系统中尤为重要。
其次，该MOSFET支持高达160A的连续漏极电流，能够在高负载环境下稳定运行。结合其高耐压能力（40V），BUK7K8R7-40EX能够满足汽车电子、工业控制等对功率要求较高的应用需求。
该器件采用TO-220AB封装形式，具有良好的热性能和机械稳定性，便于安装在散热器上以提高散热效率。此外，该封装也支持手工焊接和自动装配工艺，适应多种制造流程。
BUK7K8R7-40EX还具备出色的短路和过热耐受能力，能够在极端工况下保持可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于高温环境，例如发动机舱或户外工业设备。
最后，该MOSFET符合RoHS指令，无铅且环保，适用于需要满足现代电子制造标准的设计。
BUK7K8R7-40EX广泛应用于需要高电流能力和低导通损耗的功率电子系统。它常见于汽车电子系统中，如电动助力转向（EPS）、起动机和发电机控制、车载充电器（OBC）以及电池管理系统（BMS）。在这些应用中，MOSFET需要承受高电流和频繁的开关操作，而BUK7K8R7-40EX的低RDS(on)和高耐用性使其成为理想选择。
此外，该器件也适用于工业电机控制、直流-直流转换器（DC/DC Converter）和不间断电源（UPS）系统。在这些电源管理应用中，其高效率和高可靠性可显著提升系统整体性能。
由于其高集成度和紧凑封装，BUK7K8R7-40EX也适合用于需要空间优化的设计，如便携式电源设备和智能电表。同时，其优异的热管理能力确保在高密度PCB布局中也能保持良好的散热效果。
IPD90N04S4-03, FDP160N40LF, STP150N4F3LL-1
