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BCM847BV,315 发布时间 时间:2025/9/14 5:26:42 查看 阅读:17

BCM847BV,315 是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT)阵列器件,内含两个NPN晶体管。该器件采用SOT-23-6小型封装,适合在需要双晶体管配置的模拟和数字电路中使用。BCM847BV,315 是一款通用型晶体管阵列,广泛应用于信号放大、开关控制以及逻辑电平转换等场景。

参数

晶体管类型:NPN 双晶体管
  集电极-发射极电压(Vce):30V
  集电极-基极电压(Vcb):30V
  发射极-基极电压(Veb):5V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  功耗(Pd):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  存储温度范围:-65°C 至 150°C
  封装类型:SOT-23-6

特性

BCM847BV,315 内部集成两个NPN晶体管,适用于需要双晶体管配合的电路设计。该器件具有较高的电流放大系数(hFE),可提供良好的信号放大性能。其SOT-23-6封装形式体积小巧,适合用于高密度PCB布局设计。
  此外,BCM847BV,315 的工作温度范围较宽,能够在-55°C至150°C的环境中稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用。该器件还具有良好的热稳定性和可靠性,适合在需要长期稳定运行的系统中使用。
  由于其低饱和电压和快速开关特性,BCM847BV,315 也常被用于数字电路中的电平转换和驱动电路中,如LED驱动、继电器控制和传感器接口等应用。其通用性和灵活性使其成为许多嵌入式系统和电子设备中的常用元件。

应用

BCM847BV,315 常用于信号放大电路、开关控制电路、逻辑电平转换、LED驱动、继电器驱动、传感器接口、模拟和数字电路的耦合与隔离等场景。由于其双晶体管结构,也常用于构建达林顿对管或电流镜电路。该器件适用于消费电子、工业自动化、通信设备、汽车电子等多个领域。

替代型号

BC847BDS,115; BCM847BS,315; BC847BWX; BCM847BVM,315

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BCM847BV,315参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大300mW
  • 频率 - 转换250MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-666
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934059429315