时间：2025/8/2 7:11:18
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HUFA75307D3S是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和电机控制等领域。该MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性，适合于高效率开关电源、DC-DC转换器、负载开关和马达驱动器等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
连续漏极电流（Id）：180A（Tc=25℃）
功耗（Pd）：250W
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
封装形式：TO-247
HUFA75307D3S具备低导通电阻（Rds(on)），有效降低导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力使其能够承受大电流负载而不易损坏。该MOSFET采用先进的封装技术，提供良好的散热性能，确保在高功率运行下的稳定性。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。器件的栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑电平控制，便于集成到各种电路设计中。
在可靠性方面，HUFA75307D3S具备优良的热稳定性，在高温度环境下仍能保持稳定工作，减少了过热失效的风险。其耐受高dv/dt能力，增强了抗干扰性能，适用于复杂电磁环境中的应用。由于其优异的电气和热性能，该MOSFET广泛用于汽车电子、工业控制、电源供应器等高要求系统中。
该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统中的功率管理模块。其优异的性能也使其适用于不间断电源（UPS）、服务器电源和工业自动化设备等高功率应用场景。
FDP180N10A, FDS4410, NTD7530L, IRF1405
