时间：2025/7/10 21:18:29
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OZ521EGN-A-0-TR 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统效率并降低功耗。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型类型，适用于各种需要高效能和高可靠性的电子应用。其封装形式为 TO-263（D2PAK），适合表面贴装技术（SMT）组装。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：非常快
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
OZ521EGN-A-0-TR 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下仅为 1.7mΩ，可有效减少导通损耗。
2. 高额定电流能力，支持高达 48A 的连续漏极电流，满足大功率应用场景的需求。
3. 快速开关性能，栅极电荷较低（45nC），有助于提高系统的工作频率并降低开关损耗。
4. 宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应恶劣环境下的稳定运行。
5. 封装设计紧凑且散热性能优异，适合表面贴装，简化了 PCB 设计与生产流程。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
该 MOSFET 可用于多种电力电子设备中，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流或主开关管。
2. 电机驱动电路，例如直流无刷电机（BLDC）控制器。
3. 负载切换和保护电路，如服务器及通信设备中的电源管理模块。
4. 电池管理系统（BMS），用于实现充放电控制和短路保护等功能。
5. LED 照明驱动器，提供高效的电流调节功能。
6. 工业自动化领域内的各类功率转换装置。
IRF540N, FDP5500NL, PSMN0R9-30YLH
