类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　栅源电压（Vgs）：±12 V
　　连续漏极电流（Id）：100 mA
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 500 mΩ（在 Vgs = 4.5 V 时）
　　功率耗散：200 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：DFN10

BAS70C-AU_R1_000A1 具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于需要快速响应和低功耗的电子系统。其 DFN10 封装设计不仅减小了 PCB 占用面积，还提高了热管理性能，使其在高密度电路中表现优异。
　　该 MOSFET 在 Vgs 为 4.5 V 时的 Rds(on) 值较低，有助于减少导通损耗，提高整体能效。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±12 V），能够兼容多种控制电路的设计需求。
　　该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行，适用于各种恶劣工作条件。ROHM 的制造工艺确保了器件的高可靠性和长寿命，是许多消费类电子、工业控制设备和汽车电子系统中的理想选择。
　　另外，该 MOSFET 具有良好的 ESD（静电放电）耐受能力，能够在生产、运输和使用过程中有效抵御静电损伤，从而提升整体系统的稳定性与可靠性。

BAS70C-AU_R1_000A1 主要用于以下应用领域：
　　1. 便携式电子设备中的电源管理，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　2. 电池供电系统的负载开关，实现低功耗模式下的高效电源控制。
　　3. 工业自动化设备中的信号切换和驱动电路。
　　4. LED 照明系统中的开关控制，实现调光和节能功能。
　　5. 各类小型 DC-DC 转换器和负载开关电路。
　　6. 汽车电子中的低功率开关控制应用，如车载娱乐系统和传感器接口电路。

2N7002, BSS138, FDN337N, FDV301N