时间：2025/7/22 8:04:51
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W15NB50是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率电子设备中。该器件具有高耐压和低导通电阻的特点，适用于各种需要高效能功率控制的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω（典型值）
最大功率耗散（Ptot）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
W15NB50的主要特性包括其高耐压能力和低导通电阻，这使其在高电压应用中能够有效降低功率损耗并提高效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率开关应用。此外，W15NB50还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。
其封装形式为TO-220，便于安装和散热，适合在紧凑型设计中使用。该MOSFET还具有快速开关能力，能够适应高频开关应用的需求，从而提高系统的整体性能。W15NB50的设计使其在各种电源管理应用中表现出色，能够提供稳定的性能和较长的使用寿命。
W15NB50通常用于电源供应器、DC-DC转换器、电机控制器、照明系统以及各种工业自动化设备中的功率控制部分。由于其高可靠性和优异的电气性能，它也非常适合用于需要高效率和高稳定性的场合，如家用电器和汽车电子系统中的电源管理模块。
IRF840, FQA16N50, 2SK2647
