W15NB50是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于功率电子设备中。该器件具有高耐压和低导通电阻的特点,适用于各种需要高效能功率控制的场合。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):500V
最大漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):0.38Ω(典型值)
最大功率耗散(Ptot):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220
W15NB50的主要特性包括其高耐压能力和低导通电阻,这使其在高电压应用中能够有效降低功率损耗并提高效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率开关应用。此外,W15NB50还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内稳定工作。
其封装形式为TO-220,便于安装和散热,适合在紧凑型设计中使用。该MOSFET还具有快速开关能力,能够适应高频开关应用的需求,从而提高系统的整体性能。W15NB50的设计使其在各种电源管理应用中表现出色,能够提供稳定的性能和较长的使用寿命。
W15NB50通常用于电源供应器、DC-DC转换器、电机控制器、照明系统以及各种工业自动化设备中的功率控制部分。由于其高可靠性和优异的电气性能,它也非常适合用于需要高效率和高稳定性的场合,如家用电器和汽车电子系统中的电源管理模块。
IRF840, FQA16N50, 2SK2647