HUF76112SK8 时间：2025/8/24 15:14:13 阅读：20

HUF76112SK8 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），封装形式为 TO-263（D2Pak），适用于高电流、高功率的应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度，能够在高温环境下稳定工作，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电池供电设备中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.1mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-263（D2Pak）

特性

HUF76112SK8 具备出色的导通和开关性能，其主要特性包括：
　　? 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高系统效率；
　　? 高电流承载能力（最大漏极电流可达 80A），适合用于高功率应用场景；
　　? 快速开关速度，有助于减小开关损耗，提高转换效率；
　　? TO-263 封装具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和 PCB 布局；
　　? 工作温度范围宽，支持从 -55°C 到 175°C 的极端环境，适用于汽车电子、工业控制等对可靠性要求高的领域；
　　? 符合 RoHS 环保标准，无卤素，符合现代电子设备的环保要求；
　　? 具备高雪崩能量耐受能力，提升了器件在高电压尖峰环境下的稳定性和寿命。

应用

HUF76112SK8 主要用于以下类型的应用：
　　? DC-DC 转换器和同步整流器，用于高效电源转换；
　　? 电机驱动和控制电路，如电动工具、电动车和机器人系统；
　　? 负载开关和电源管理模块，用于电池供电设备和便携式电子产品；
　　? 工业自动化系统中的功率控制电路；
　　? 汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS）等；
　　? 高功率 LED 驱动和照明控制系统；
　　? 服务器和通信设备中的电源模块。