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LH52CV256HT-10LL 发布时间 时间:2025/8/28 7:51:45 查看 阅读:4

LH52CV256HT-10LL 是由 Rohm(罗姆)半导体公司生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256Kbit,采用高速CMOS技术制造,适用于需要快速数据访问和低功耗的应用场景。该器件采用高速访问时间(10ns)设计,适用于工业控制、网络设备、通信模块等高性能系统。

参数

类型:SRAM
  容量:256Kbit(32K x 8)
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:10ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
  接口类型:并行接口
  功耗:低功耗CMOS工艺
  读写模式:异步模式

特性

LH52CV256HT-10LL 具备高性能和低功耗的特性,其10ns的访问时间确保了快速的数据读写操作,非常适合需要高数据吞吐率的应用场景。该芯片采用异步SRAM架构,无需时钟同步控制,简化了电路设计。其电源电压范围为2.3V至3.6V,使其能够兼容多种电压系统,增强了设计的灵活性。
  该SRAM芯片还具有出色的稳定性和可靠性,在工业级温度范围(-40°C至+85°C)内可稳定工作,适用于各种严苛的环境条件。此外,TSOP封装形式不仅体积小巧,还提高了封装密度,适合在空间受限的设计中使用。
  由于其低功耗特性,LH52CV256HT-10LL 在待机模式下的电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的使用寿命。同时,该器件的并行接口设计允许直接连接微控制器或FPGA,简化了系统集成过程,提高了整体性能。

应用

该芯片广泛应用于工业自动化设备、网络通信模块、数据采集系统、嵌入式控制系统、测试测量设备等领域。由于其高速访问能力和低功耗特性,特别适合用于缓存、临时数据存储、高速缓冲区等场景。在FPGA系统中,它也常用于存储配置数据或作为高速中间存储器。此外,该SRAM芯片还可用于需要高速数据处理的医疗设备、智能仪表和通信基站模块等应用中。

替代型号

CY62148EVLL-10ZXC, IS62C256AL-10TLI, HM62256BLP-10

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