类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4A（单通道）
　　导通电阻（Rds(on)）：55mΩ @ Vgs=4.5V，110mΩ @ Vgs=2.5V
　　功率耗散：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：SOT-26

APM2310AC-TRL 具有多个优良的电气和机械特性，使其在各种功率管理应用中表现出色。
　　首先，其双通道设计使得在同一封装内集成两个独立的 MOSFET，大大节省了 PCB 空间，适用于空间受限的便携式设备。每个通道均可承受高达 4A 的连续漏极电流，并在低栅极电压下实现良好的导通性能，降低了驱动电路的复杂性和功耗。
　　其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）在不同栅极电压下表现优异。在 Vgs=4.5V 时，Rds(on) 仅为 55mΩ；而在 Vgs=2.5V 时，Rds(on) 为 110mΩ。这种特性使得 APM2310AC-TRL 在低压驱动条件下仍能保持高效的功率传输，减少发热并提高系统效率。
　　此外，APM2310AC-TRL 采用 SOT-26 小型封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适合在高密度电路中使用。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保在各种环境条件下都能稳定运行，适用于工业级和消费类电子产品。
　　最后，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 1.8V 至 12V 的栅极电压输入，兼容多种控制器和逻辑电平，提高了设计的灵活性。

APM2310AC-TRL 主要应用于需要高效功率控制和空间紧凑的电子设备中。例如，在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，APM2310AC-TRL 可用于电源管理模块，实现对不同负载的高效开关控制。在 DC-DC 转换器中，该器件的低导通电阻和高电流能力有助于提高转换效率，降低功耗。
　　此外，APM2310AC-TRL 也广泛用于负载开关电路，用于控制电源的开启与关闭，防止过载或短路造成的损坏。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制，确保电池的安全运行。
　　由于其双通道设计和小型封装，APM2310AC-TRL 还适用于多路电源管理、LED 驱动电路、电机驱动器和各类嵌入式控制系统中。

AO3400A, SI2302DS, FDN340P, NDS355AN