PDTD113ZUF 时间：2025/9/14 10:17:10 阅读：10

PDTD113ZUF 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率的功率转换和开关应用。该器件采用小型表面贴装封装（如 U-MDF2 或其他类似封装），适用于高密度 PCB 设计。PDTD113ZUF 以其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性而著称，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及各种便携式电子产品中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　最大连续漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.063Ω（最大值，@VGS=4.5V）
　　功率耗散（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：U-MDF2

特性

PDTD113ZUF 具有多个关键特性，使其在低电压功率开关应用中表现出色。
　　首先，该 MOSFET 的导通电阻非常低，典型值为 0.063Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。这种低 RDS(on) 特性在高电流应用中尤为重要，有助于减少发热并提高整体性能。
　　其次，PDTD113ZUF 采用小型 U-MDF2 封装，适合高密度 PCB 布局，适用于空间受限的设计，如智能手机、平板电脑和便携式电源设备。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 12V），使其能够兼容多种控制器和驱动电路。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高响应速度。
　　从可靠性角度看，PDTD113ZUF 具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在各种环境条件下稳定运行，适用于工业和消费类电子应用。
　　总的来说，PDTD113ZUF 凭借其低导通电阻、小型封装和高效能表现，成为许多现代电子设备中不可或缺的功率管理元件。

应用

PDTD113ZUF 适用于多种功率管理与开关控制场景，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用包括：电源管理系统中的负载开关控制、DC-DC 转换器中的同步整流元件、电池供电设备中的功率调节模块、以及各种便携式电子产品的电源管理单元。此外，该器件还可用于电机驱动、LED 驱动电路以及工业自动化控制系统中的功率开关模块。