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IHD260IT1 发布时间 时间:2025/8/6 20:37:14 查看 阅读:23

IHD260IT1是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET具有低导通电阻、高电流容量以及良好的热稳定性,适用于各种工业和汽车应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):260A(最大)
  漏极-源极电压(VDS):100V(最大)
  栅极-源极电压(VGS):±20V(最大)
  导通电阻(RDS(on)):约2.0mΩ(典型值)
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至175°C
  功率耗散(PD):300W(最大)

特性

IHD260IT1的主要特性之一是其极低的导通电阻,这使得在高电流应用中能够显著减少功率损耗和热量产生。这种特性对于需要高效能转换的电源管理系统来说至关重要。此外,该器件的高电流容量(260A)确保了它能够在高负载条件下稳定工作,而不会因过热或过载而损坏。
  另一个显著特点是其良好的热稳定性。IHD260IT1采用高性能封装技术,能够在高温环境下保持稳定工作,并通过有效的散热设计将热量快速排出。这使得它非常适合在高温或高功率密度的应用场景中使用。
  该MOSFET还具备高抗雪崩能力,这意味着即使在高能量瞬态条件下,器件也能保持可靠运行。这一特性在电机驱动和电源转换器等应用中尤为重要,因为它可以有效防止因电压尖峰引起的器件损坏。
  IHD260IT1的封装形式为TO-247,这种封装不仅提供了良好的散热性能,还便于在电路板上安装和焊接。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽(通常为4.5V至20V),使得它可以与多种驱动电路兼容,包括常见的逻辑电平驱动器。

应用

IHD260IT1适用于多种高功率应用,包括但不限于以下领域:
  1. **电源管理**:由于其低导通电阻和高电流容量,该MOSFET非常适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和负载开关等应用。在这些应用中,它能够显著提高转换效率并减少热量产生。
  2. **电机驱动**:在电动工具、电动汽车和工业自动化设备中,IHD260IT1可用于驱动直流电机和步进电机。其高抗雪崩能力和热稳定性确保了在高负载和瞬态条件下仍能稳定运行。
  3. **汽车电子**:该器件广泛应用于汽车系统,如车载充电器、电池管理系统(BMS)和电动助力转向系统(EPS)。在这些应用中,其高温耐受性和可靠性使其成为理想选择。
  4. **逆变器和变频器**:IHD260IT1可用于太阳能逆变器和工业变频器中,作为功率开关器件,帮助实现高效的能量转换和控制。
  5. **工业自动化**:在PLC(可编程逻辑控制器)和工业电源系统中,该MOSFET可用于控制高功率负载,如加热元件、照明系统和大功率传感器。

替代型号

STL260N10F7AG STP260N10F7AG STD260N10F7AG

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