晶体管类型：NPN BJT
　　材料：硅
　　封装类型：SOT-23
　　工作频率范围：最高可达1 GHz
　　集电极-发射极电压（VCEO）：15 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：25 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：3 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　功耗（PD）：200 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　增益带宽积（fT）：1.1 GHz
　　电流增益（hFE）：典型值为50-300（具体取决于工作电流）
　　噪声系数（NF）：典型值为3 dB（在1 GHz下）

HSMP481B-TR1G 具有良好的射频性能，其 fT（增益带宽积）高达1.1 GHz，使其适用于高频放大器和射频开关应用。
　　该晶体管在低电流下仍能保持较高的电流增益，适用于低噪声放大器（LNA）的设计。
　　采用 SOT-23 小型封装，节省空间，便于在高密度 PCB 设计中使用。
　　其低噪声系数（典型值为3 dB）使其适用于接收机前端电路中的信号放大。
　　由于其良好的线性度和高频响应，HSMP481B-TR1G 常用于混频器、检波器和调制解调电路中。
　　该晶体管具有较低的基极电阻，有助于提高高频下的稳定性与增益表现。
　　此外，HSMP481B-TR1G 具备较高的可靠性和稳定性，适合在工业和通信设备中长期运行。

HSMP481B-TR1G 主要应用于射频通信系统中的低噪声放大器（LNA）、中频放大器、射频开关、混频器和振荡器等高频电路。
　　它也常用于无线基站、卫星通信设备、雷达系统和测试测量仪器中的信号处理模块。
　　由于其低噪声性能和良好的高频响应，该晶体管非常适合用于无线接收器前端，以提高信号灵敏度和整体系统性能。
　　在消费类电子产品中，HSMP481B-TR1G 可用于蓝牙模块、Wi-Fi 收发器和 Zigbee 通信模块中的射频信号放大。
　　此外，它也适用于功率控制电路和射频识别（RFID）系统中的信号处理环节。
　　在军事和航空航天领域，该晶体管可用于高可靠性通信设备和导航系统的射频前端设计。

HSMP481B-TR1G 的替代型号包括 BFG11、BFQ59、2N3904 和 2N4401。这些型号在某些应用中可以替代 HSMP481B-TR1G，但需要根据具体电路设计和频率要求进行评估。