时间：2025/9/7 16:41:21
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HSK110TR是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高电流、高频应用而设计，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。HSK110TR采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供了优异的导通性能和快速的开关响应，适合在高效率和高功率密度要求的应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：最大7.5mΩ（在Vgs=10V）
封装类型：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55℃至150℃
功耗(Pd)：100W
栅极电荷(Qg)：25nC（典型值）
输入电容(Ciss)：1600pF（典型值）
HSK110TR具有多个关键性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该器件具备较高的电流处理能力，适用于高负载应用。此外，HSK110TR的封装设计优化了热性能，使得在高功率操作下仍能保持稳定的工作温度。
器件的栅极驱动电压范围宽泛，支持4V至10V的驱动电压，适用于多种驱动器IC的直接驱动。HSK110TR还具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在电压尖峰或负载突变情况下的可靠性。
该MOSFET的高频响应能力使其适用于高开关频率的DC-DC转换器和同步整流器等应用。同时，其TO-252封装形式便于PCB布局和散热设计，适合自动化生产。
HSK110TR广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于：
- DC-DC转换器和同步整流器
- 电机驱动和H桥逆变器
- 负载开关和电源管理模块
- 电池供电设备和便携式电子产品
- 工业控制系统和电源模块
- 服务器和通信设备电源
Si9410BDY-T1-E3, FDS6680, IPP110N10N3_G, FDBL0150N30B0
