HN62428FL47 时间：2025/9/7 5:04:10 阅读：18

HN62428FL47 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的高性能静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片属于高速SRAM系列，适用于需要快速数据存取的应用场景。HN62428FL47 提供了256K位（32K x 8）的存储容量，采用高速CMOS技术制造，具备低功耗和高可靠性的特点，广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备和嵌入式系统等领域。

参数

容量：256K位（32K x 8）
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：47ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：52引脚 TSOP（Thin Small Outline Package）
　　数据保持电压：1.5V
　　待机电流：最大10mA（典型值）
　　工作电流：最大180mA（读取模式）
　　封装尺寸：18.4mm x 12.0mm x 1.0mm
　　引脚间距：0.8mm

特性

HN62428FL47 是一款基于高速CMOS技术的异步SRAM芯片，具备出色的性能和可靠性。该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），适应不同的电源供应环境，同时在低电压下仍能保持稳定运行。其高速访问时间为47ns，能够满足需要快速数据读取和写入的应用需求。此外，该芯片支持低功耗待机模式，在待机状态下电流消耗极低，适用于对功耗敏感的便携式或电池供电设备。
　　该芯片采用52引脚TSOP封装，具有较小的封装尺寸和轻薄的外形，适合空间受限的高密度电路设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和汽车级应用环境，确保在极端温度下仍能保持稳定性能。HN62428FL47 还具备高抗干扰能力和良好的数据保持能力，在断电情况下可通过数据保持电压（最低1.5V）维持存储数据，适用于需要长时间保存数据的系统设计。
　　此外，HN62428FL47 支持多种工作模式，包括读取模式、写入模式和待机模式，用户可根据应用需求灵活切换。其CMOS工艺不仅降低了功耗，还提高了器件的抗噪能力和稳定性，适用于高速数据缓冲、临时数据存储以及嵌入式系统的主存储器。

应用

HN62428FL47 常用于需要高速数据存取和低功耗特性的电子系统中。其典型应用包括网络设备中的数据缓存、工业控制系统的临时数据存储、通信模块的高速缓冲存储器、测试仪器的数据暂存单元以及嵌入式系统的主存储器扩展。由于其宽温范围和高可靠性，该芯片也适用于汽车电子系统、智能电表和便携式医疗设备等对稳定性和功耗要求较高的应用领域。