类型：NPN 晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　过渡频率（fT）：1.2 GHz
　　电流增益带宽积（fT）：1.2 GHz
　　噪声系数（NF）：0.65 dB（典型值）
　　封装类型：SOT-89

LTP757C 的主要特性之一是其优异的高频性能，过渡频率（fT）高达 1.2 GHz，使其适用于高频放大电路。此外，该晶体管的噪声系数较低，典型值为 0.65 dB，在射频接收系统中可以有效降低噪声干扰，提高信号质量。LTP757C 的 SOT-89 小型封装形式不仅节省空间，还具有良好的热稳定性和可靠性，适用于高密度电路板设计。该晶体管的工作电压范围较宽，集电极-发射极电压（VCEO）可达 30 V，允许在多种电源条件下稳定工作。其最大集电极电流为 100 mA，功耗限制为 300 mW，确保在高频放大应用中保持较低的功耗水平。此外，LTP757C 的制造工艺保证了良好的一致性和稳定性，适用于批量生产和长期运行的设备。
　　LTP757C 还具有良好的线性度和增益特性，适合用于中功率射频放大器和低噪声前置放大器。其在 900 MHz 和 2.4 GHz 频段下的性能尤为突出，广泛应用于蜂窝通信、Wi-Fi 设备、卫星接收器以及广播调谐器等产品中。由于其低噪声和高增益特性，LTP757C 也常用于 GPS 接收机和远程无线传感器网络中的信号放大环节。

LTP757C 主要应用于射频和中频放大器电路，特别适用于无线通信系统，如蜂窝基站、Wi-Fi 接收器和无线局域网（WLAN）设备。它还可用于广播调谐器、GPS 接收模块、卫星通信设备以及低噪声前置放大器设计。LTP757C 在高频信号处理中的优异表现使其成为射频前端设计的重要元件，广泛用于需要高增益和低噪声的场景。

BFQ56, BFG21, 2N5179