H5DU5182EFR-FAC 时间：2025/9/1 16:18:13 阅读：16

H5DU5182EFR-FAC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高性能的存储器产品系列，广泛应用于计算机、服务器、网络设备以及嵌入式系统中，以提供快速的数据存取能力。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，具有低功耗和高稳定性的特点。

参数

容量：512MB
　　类型：DRAM
　　封装类型：FBGA
　　数据宽度：16位
　　电压：1.35V
　　速度等级：-187E（对应时钟频率为1600MHz）
　　工作温度范围：0°C至+85°C

特性

H5DU5182EFR-FAC 具有多个显著的特性，首先其采用了16位宽的数据总线，使得在数据传输速率方面表现优异，适用于对性能要求较高的应用场景。此外，该芯片的低电压设计（1.35V）有助于降低整体功耗，提高能效比，符合现代电子产品对节能的要求。其封装形式为FBGA，这种封装方式具有较好的电气性能和散热性能，同时也有利于提高PCB布局的灵活性。
　　该芯片的工作温度范围为0°C至+85°C，使其能够在较为严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业级和部分商业级应用。H5DU5182EFR-FAC 的高可靠性和稳定性也使其成为服务器和嵌入式系统中的理想选择，能够满足长时间高负载运行的需求。

应用

H5DU5182EFR-FAC 主要应用于需要高性能存储的设备和系统中，如个人计算机、工作站、服务器、网络交换设备、工业控制设备等。由于其低功耗、高性能和高稳定性的特点，该芯片也被广泛用于便携式电子设备和嵌入式系统中，例如智能终端、工业自动化控制系统以及通信设备。此外，该芯片还适用于需要大量数据缓存和高速处理的应用场景，例如视频处理、图像处理和人工智能加速器等。