时间：2025/10/29 8:59:53
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TB28F008S5-100是一款由东芝（Toshiba）公司生产的并行接口闪存存储器芯片，属于NOR Flash产品系列。该芯片具有8兆位（1兆字节）的存储容量，采用标准的5V供电电压，适用于需要可靠、非易失性代码和数据存储的应用场景。TB28F008S5-100广泛应用于工业控制、通信设备、消费类电子产品以及嵌入式系统中，尤其适合用于存储固件、引导代码（Boot Code）或操作系统映像等关键信息。其设计支持快速读取访问，典型访问时间为100纳秒，能够满足高性能微处理器系统的直接执行（XIP, eXecute-In-Place）需求。该器件采用JEDEC标准封装，如44引脚TSOP或48引脚LFBGA，便于在现有PCB设计中进行替换和集成。TB28F008S5-100支持工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），具备良好的环境适应性和长期稳定性。此外，该芯片内置写保护机制，支持软件命令集进行擦除和编程操作，兼容常见的闪存编程算法，方便开发人员进行固件更新与维护。由于其成熟的技术和广泛的行业应用，TB28F008S5-100成为许多传统嵌入式系统中的经典选择之一。尽管随着技术发展，部分新型系统已转向串行SPI NOR Flash以节省空间和成本，但TB28F008S5-100仍在需要高可靠性并行接口的场合中保持重要地位。
型号：TB28F008S5-100
存储容量：8 Mbit (1 MByte)
电源电压：5V ± 10%
访问时间：100 ns
接口类型：并行（8位数据总线）
封装形式：44-pin TSOP Type II / 48-ball LFBGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
编程电压：内部电荷泵生成
写使能控制：CE#、WE#、OE# 控制信号
封装尺寸：根据具体封装而定
耐久性：10万次编程/擦除周期
数据保持时间：10年（典型值）
TB28F008S5-100作为一款成熟的并行NOR Flash存储器，具备多项关键技术特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，该芯片采用先进的浮动栅（Floating Gate）技术制造，确保了数据的高可靠性和长期保存能力，在无电源供应的情况下仍可维持至少10年的数据完整性，适用于对数据持久性要求较高的应用场景。其次，其100纳秒的快速访问时间使得CPU可以直接从该芯片中读取并执行程序代码，无需将代码加载到RAM中运行，显著降低了系统启动延迟并节省了内存资源，这一特性在工业控制器、网络路由器和医疗设备中尤为重要。
该器件支持标准的8位并行接口，提供完整的地址和数据总线，兼容多种微处理器和微控制器的接口时序要求，极大简化了硬件设计与系统集成过程。同时，TB28F008S5-100内置智能编程算法和自动擦除功能，通过特定的命令序列即可完成扇区擦除、整片擦除和字节编程操作，提升了固件更新效率。芯片还具备软件写保护功能，防止因误操作或异常断电导致的关键数据损坏，增强了系统的安全性与鲁棒性。
在电气性能方面，TB28F008S5-100工作于标准5V电源，并具备宽范围的工作温度支持（-40°C至+85°C），可在恶劣工业环境中稳定运行。其封装符合JEDEC标准，便于自动化贴片生产和后续维修更换。此外，该芯片具有低功耗待机模式，在未被选中时自动进入低电流状态，有助于延长电池供电设备的使用寿命。综合来看，TB28F008S5-100以其高可靠性、成熟工艺和广泛兼容性，成为众多传统嵌入式系统中不可或缺的核心存储元件。
