时间：2025/10/6 19:37:37
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UPS2C2R2MED是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的P沟道功率MOSFET，采用紧凑型封装，适用于电池管理、电源开关和负载切换等低电压、中等电流的应用场景。该器件专为高效率和低导通电阻设计，能够在较小的封装尺寸内提供优异的电气性能，适合对空间要求严格的便携式电子设备。其额定电压为-20V，最大连续漏极电流可达-5.7A，具有较低的栅极电荷和输入电容，有助于减少开关损耗并提高系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性与可靠性，可在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级应用环境。由于其P沟道特性，在用于高端驱动或自举电路不适用的场合中，相比N沟道MOSFET具有更高的设计便利性。该器件常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类电池供电系统中的电源通断控制。ROHM在功率MOSFET领域拥有深厚的技术积累，其产品以高可靠性和一致性著称，UPS2C2R2MED正是这一技术优势的体现之一。
型号：UPS2C2R2MED
制造商：ROHM
器件类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-5.7A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：-18A
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻（RDS(on)）：27mΩ @ VGS = -2.5V
栅极阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
栅极电荷（Qg）：典型值 6.5nC @ VDS = -10V, ID = -2.85A
输入电容（Ciss）：典型值 430pF @ VDS = -10V, VGS = 0V
反向恢复时间（trr）：典型值 15ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：UMT3（SOT-23等效小型表面贴装封装）
安装类型：表面贴装
UPS2C2R2MED具备出色的导通性能和开关特性，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS = -4.5V条件下仅为22mΩ，这意味着在通过较大电流时产生的导通损耗非常小，有助于提升整体系统的能效表现。这对于电池供电设备尤为重要，能够有效延长电池续航时间。该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好性能，例如在VGS = -2.5V时RDS(on)为27mΩ，支持低压逻辑信号直接驱动，兼容3.3V或1.8V控制系统，无需额外电平转换电路，简化了电源架构设计。
该MOSFET采用先进的沟槽结构工艺制造，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力，同时降低了寄生参数的影响。其较小的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）使得开关速度更快，动态响应能力强，适用于高频开关应用，减少了开关过程中的能量损耗。此外，该器件具备较低的反向恢复时间（trr），在体二极管导通后能够快速关断，抑制了反向恢复电流尖峰，从而降低电磁干扰（EMI）风险，并提高了在感性负载切换中的安全性。
在可靠性方面，UPS2C2R2MED经过严格的质量控制和可靠性测试，能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定运行，适应严苛的工作环境。其小型化UMT3封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过合理的PCB布局可实现有效的热管理。该器件无铅且符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品设计。总体而言，其高集成度、高性能与高可靠性使其成为现代便携式电子设备中理想的功率开关解决方案。
UPS2C2R2MED广泛应用于需要高效、紧凑型电源开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电池电源管理，如智能手机、平板电脑和智能手表，用于控制电池与主系统的连接与断开，实现安全充放电和低功耗待机模式。在这些设备中，它常作为高端负载开关或背靠背配置中的一个元件，用于阻断反向电流或防止电池反接造成的损坏。
此外，该器件也适用于各类DC-DC转换器的同步整流电路，尤其是在降压变换器中作为上管使用，利用其低RDS(on)特性减少传导损耗，提高转换效率。在热插拔电路或电源多路复用系统中，UPS2C2R2MED可用于平稳地接入或断开电源轨，避免浪涌电流对系统造成冲击。
工业控制模块、传感器供电单元和物联网终端设备中也常见该器件的身影，用于实现远程唤醒、节能模式切换等功能。由于其支持逻辑电平驱动，可直接由微控制器GPIO引脚控制，极大简化了控制电路设计。在电机驱动、继电器驱动等中小功率负载控制场合，该MOSFET也能胜任开关任务，尤其适合需要负压关断或高端驱动的P沟道应用场景。其高可靠性与小型封装特性，使其成为现代高密度电子系统中不可或缺的功率元件之一。
Si2301DS
