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HMK325B7224MNHT 发布时间 时间:2025/7/4 20:01:21 查看 阅读:11

HMK325B7224MNHT是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率和高可靠性应用而设计。该芯片采用先进的制造工艺,能够显著降低导通电阻和开关损耗,从而提高整体系统效率。它通常用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率控制的应用场景。
  这款器件具有优异的热性能和电气特性,能够在较高的结温下稳定工作,非常适合要求苛刻的工业和汽车环境。

参数

类型:功率MOSFET
  封装:TO-263
  Vds(漏源极电压):70V
  Rds(on)(导通电阻):2.4mΩ
  Id(连续漏极电流):120A
  Qg(总栅极电荷):95nC
  Bvdss(击穿电压):75V
  fT(特征频率):1.2MHz
  Tj(结温范围):-55℃ to 175℃

特性

HMK325B7224MNHT采用了超低导通电阻技术,使其在大电流应用中表现出色。同时,其优化的栅极电荷和开关特性可以减少开关损耗,提升工作效率。
  此外,该器件还具备出色的抗雪崩能力和热稳定性,能够承受短时间的过载情况。
  该芯片支持多种保护功能,例如过流保护和过温保护,确保在极端条件下也能安全运行。其引脚布局经过精心设计,便于PCB布局和散热管理。

应用

HMK325B7224MNHT广泛应用于各类功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 工业电机驱动
  - 汽车电子系统
  - 逆变器和UPS系统
  - LED驱动电路
  由于其高电流处理能力和低导通电阻,该芯片特别适合于需要高效率和紧凑设计的应用场景。

替代型号

HMK325B7224MNHQ, HMK325B7224MNFJ, IRF7843

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HMK325B7224MNHT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,000 : ¥1.10098卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容0.22 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车,SMPS 滤波
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.083"(2.10mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-