SI9933DY 时间：2025/4/28 15:07:43 阅读：2

SI9933DY 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的 TrenchFET? Gen IV 技术，具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度，适用于要求高效率和高性能的电源管理应用。其封装形式为 SO-8，能够满足紧凑设计的需求。
　　这款功率 MOSFET 广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等应用中。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：15A
　　导通电阻 (Rds(on))：2.4mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷：6nC
　　总电容 (Ciss)：1780pF
　　功耗：45W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

SI9933DY 提供了卓越的性能表现，其主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
　　2. 高开关速度和低栅极电荷，使器件在高频开关应用中表现出色。
　　3. 宽广的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，确保在极端环境下依然保持稳定性能。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品需求。
　　5. SO-8 封装提供良好的散热性能和空间利用率。

应用

该芯片的应用领域非常广泛，具体包括：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流管。
　　3. 各类负载开关和保护电路。
　　4. 便携式电子设备中的电池管理。
　　5. 工业控制中的电机驱动和逆变器模块。
　　6. 汽车电子系统中的功率转换与管理组件。