时间：2025/7/16 19:36:49
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A817 是一款由日本东芝（Toshiba）公司推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、马达控制以及各种高频率功率转换场合。该器件采用高密度单元设计，具有低导通电阻、高频响应能力和良好的热稳定性，适用于需要高效率和高性能的电子系统中。A817通常采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装技术（SMT）。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：最大28mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：80W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
A817 MOSFET具有多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的最大Rds(on)为28毫欧，在Vgs=10V时能够提供更低的电阻值，使得在高电流工作状态下也能保持较低的功率损耗。
其次，A817具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达30A，适合用于高功率输出的场合。此外，该器件的开关速度快，适合高频应用，能够有效减少开关损耗，提高电源转换效率。
在封装方面，A817采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和散热性能，适合表面贴装工艺，有助于提高PCB布局的紧凑性和自动化生产效率。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了器件在极端工作条件下的稳定性和可靠性，适用于工业控制、汽车电子和消费类电源系统等多种应用场景。
A817 MOSFET因其高性能和高可靠性，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于同步整流的DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及电池充电器中，以提高能量转换效率并减少发热。
在电机控制领域，A817可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的高效驱动和精确控制，适用于机器人、电动工具和自动化设备。
此外，A817也适用于负载开关、电源分配系统和LED照明驱动电路，尤其是在需要高效率和高可靠性的汽车电子系统中，如车载充电器、车身控制模块和LED前照灯驱动电路。
由于其高频率响应能力，A817也可用于无线充电系统和功率因数校正（PFC）电路中，满足现代电子产品对高效能、小型化和轻量化的需求。
Si7461DP, FDS6680, IRFZ44N, AOD4144
