类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：115mA
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω（最大值，在VGS=10V时）
　　阈值电压（VGS(th)）：1V至3V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

2N7002T-NL MOSFET具有多项显著的电气和物理特性，使其在各种应用中表现出色。
　　首先，该器件的漏源电压（VDS）为60V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低压电路设计。其栅源电压（VGS）范围为±20V，表明其栅极驱动具有一定的耐压能力，可以在较宽的控制电压范围内工作。
　　其次，该MOSFET的最大漏极电流为115mA，适用于中低功率的开关应用。其导通电阻（RDS(on)）最大为5Ω，在VGS=10V时能够确保较低的导通损耗，提高系统的整体效率。
　　此外，2N7002T-NL 的阈值电压（VGS(th)）在1V至3V之间，这意味着它可以在较低的栅极电压下导通，适用于3.3V或5V逻辑电平控制的电路，例如与微控制器或数字逻辑电路配合使用。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有良好的温度适应性和热稳定性，适合在恶劣环境条件下使用。其SOT-23封装不仅体积小巧，而且便于散热，适用于高密度PCB布局。
　　最后，该MOSFET具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于工业控制、消费电子、汽车电子和通信设备等多种应用场景。

2N7002T-NL MOSFET因其优异的性能和小尺寸封装，广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，它可用作负载开关或电源控制开关，实现高效的电源管理。在数字电路中，该器件可作为逻辑电平转换器，将低电压逻辑信号转换为高电压控制信号，从而驱动更高电压的负载。
　　此外，2N7002T-NL 还常用于LED驱动电路、继电器驱动电路、小型电机控制电路以及传感器接口电路中。由于其快速开关特性和低导通电阻，它也适用于需要频繁开关操作的场合，如PWM控制、电池供电设备和便携式电子产品。
　　在工业自动化和控制系统中，该MOSFET可作为小型继电器的替代品，减少电路的功耗和体积，提高系统的稳定性和响应速度。在汽车电子系统中，它可用于车身控制模块、灯光控制系统和车载信息娱乐系统的电源管理电路。

2N7000, 2N7002, BSS138, FDV301N