时间：2025/8/25 0:46:46
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9N50F 是一款常见的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率控制电路中。这款MOSFET采用了先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和高耐压能力等特点。其封装形式通常为TO-220，便于安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：1.5A
功耗(Pd)：40W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
9N50F 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压最大可达500V，这使其适用于高压应用场合，如开关电源和功率因数校正电路。其栅源电压为±30V，具有较好的栅极保护能力，避免因过高的栅极电压而导致器件损坏。该MOSFET的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，它具备较高的开关速度，使得在高频开关应用中表现出色，有助于减小电源模块的体积并提高功率密度。
在可靠性方面，9N50F 设计有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作。其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适合安装在散热器上以增强散热效果。此外，该器件的制造工艺成熟，具备良好的一致性和稳定性，适用于工业级和消费类电子产品。
9N50F MOSFET被广泛应用于多种功率电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它通常用作主开关器件，用于控制能量的传输和调节输出电压。由于其高频特性和低导通损耗，特别适合用于反激式和正激式转换器中。在DC-DC转换器中，该器件可作为高边或低边开关，实现高效的电压转换。在电机驱动电路中，9N50F可用于控制直流电机的速度和方向，适用于小型电机控制和电动工具等领域。此外，它也常用于逆变器、不间断电源（UPS）以及各种功率控制开关电路中，如照明控制、电加热控制等应用场景。
FQP9N50C, IRF9N50, STP9NK50Z, 9N60F
