BUK9620-100B是Nexperia公司生产的高压MOSFET晶体管,采用DPAK(TO-252)封装。该器件属于P沟道增强型场效应晶体管,广泛应用于电源管理、电机控制和开关电路等领域。由于其低导通电阻和高击穿电压特性,BUK9620-100B非常适合在高效率和紧凑型设计中使用。
该MOSFET的设计使其能够在高温环境下保持稳定工作,并提供快速的开关速度以减少开关损耗。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:-4.8A
导通电阻:70mΩ
栅极电荷:3nC
开关时间:开启延迟时间 27ns,关断传播时间 18ns
功耗:3.4W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
BUK9620-100B具有以下主要特性:
1. 高击穿电压(100V),适用于多种高压应用。
2. 极低的导通电阻(典型值为70mΩ),有助于降低传导损耗。
3. 快速开关能力,能够显著减少开关过程中的能量损失。
4. 小型化的DPAK封装,适合空间受限的设计环境。
5. 优异的热性能,可在较高结温下运行,提高了系统可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保且易于焊接加工。
BUK9620-100B可应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器或负载开关。
2. DC-DC转换器,用于提升效率和减小尺寸。
3. 汽车电子设备中的负载切换及保护电路。
4. 电机驱动与控制电路,例如步进电机和直流无刷电机。
5. 工业自动化设备中的功率级控制和保护功能。
6. 电池管理系统(BMS)中的充放电路径管理及过流保护。
PSMN0R9-100BSE, BUK9Z04-100B