时间：2025/7/12 4:05:01
阅读：12
HMF316B7474KLHT 是一款由罗姆（ROHM）生产的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、低功耗的电源管理应用设计。它采用 TO-252 封装形式，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等场景。
该器件基于先进的半导体制造工艺，具有出色的热性能和电气特性，能够显著降低系统的能耗并提高整体可靠性。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：38nC（典型值）
开关速度：快速
封装形式：TO-252
HMF316B7474KLHT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提升系统效率。
2. 快速开关性能，适用于高频开关应用。
3. 较高的漏极电流能力（Id），能够支持大功率负载。
4. 高耐压能力（Vds），确保在复杂电路环境下稳定运行。
5. 内置 ESD 保护功能，增强了芯片的抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 稳定的温度特性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
HMF316B7474KLHT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和适配器设计。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 电机驱动控制电路。
4. 汽车电子系统中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。
HMF316B7474KLHTT,HMF316B7474KLHTL
