EL817(B)-F是一种光电耦合器,也被称为光耦。它通过光信号将输入和输出电路进行电气隔离,从而实现信号传输。这类器件广泛应用于需要电气隔离的场合,例如开关电源、工业控制设备和通信设备中。EL817(B)-F具有较高的共模抑制能力,能够有效防止噪声干扰,并且具备良好的温度稳定性和长寿命特性。
集电极-发射极电压(VCE):50V
发光二极管正向电流(IF):16mA
电流传输比(CTR):100%~300%
绝缘电压(VIORM):5000Vrms
工作温度范围:-40℃~+110℃
存储温度范围:-40℃~+125℃
上升时间(tr):2μs
下降时间(tf):1μs
EL817(B)-F采用GaAs红外发光二极管与硅光电晶体管组合设计,确保了高灵敏度和快速响应性能。
其CTR(电流传输比)范围较宽,能够在不同环境条件下提供稳定的信号传输效果。
封装形式通常为DIP-4或SOP-4,便于在各种PCB布局中使用。
该器件支持高耐压和电气隔离功能,适合多种复杂电磁环境的应用场景。
此外,EL817(B)-F符合RoHS标准,环保无铅,适用于现代电子产品的生产需求。
EL817(B)-F主要用于需要信号隔离的电路中,具体包括但不限于以下领域:
1. 开关电源中的反馈电路隔离;
2. 工业自动化控制系统中的信号隔离;
3. 电机驱动电路中的保护隔离;
4. 数字通信接口的隔离处理;
5. 医疗设备中对安全隔离有严格要求的场景;
6. 高频脉冲信号传输中的抗干扰设计。
TLP521-1, PC817, HCPL-2631