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LG1211-B0 发布时间 时间:2025/5/7 13:42:42 查看 阅读:25

LG1211-B0是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够有效提升系统效率并降低功耗。
  LG1211-B0通过优化栅极电荷和阈值电压设计,在高频应用中表现出色,同时其封装形式支持高散热性能,适用于对可靠性要求较高的工业及消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:55nC
  总电容:220pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 低导通电阻设计,减少功率损耗。
  2. 快速开关速度,适合高频应用。
  3. 高电流承载能力,满足大功率需求。
  4. 良好的热稳定性,确保在极端环境下的可靠性。
  5. 小型化封装,便于PCB布局和安装。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅工艺。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 直流电机驱动器中的功率级元件。
  3. 工业设备中的负载控制开关。
  4. 汽车电子系统中的电源管理模块。
  5. LED驱动器和照明系统的功率转换部分。

替代型号

IRFZ44N, FDP5800

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