您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HMC435AMS8GE

HMC435AMS8GE 发布时间 时间:2025/5/15 14:50:21 查看 阅读:14

HMC435AMS8GE是Analog Devices(ADI)旗下的一款砷化镓(GaAs)赝晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)单片微波集成电路(MMIC)功率放大器。该器件工作频率范围为10至20 GHz,采用+12V电源供电,通常用于点对点无线电、VSAT和测试设备等应用领域。
  此芯片设计紧凑,集成了内部匹配网络以简化系统集成,同时提供出色的线性度和增益性能,使其成为宽带通信系统的理想选择。

参数

型号:HMC435AMS8GE
  频率范围:10 GHz 至 20 GHz
  增益:16 dB(典型值,在15 GHz时)
  输出1 dB压缩点:+27 dBm(典型值,在15 GHz时)
  饱和输出功率:+30 dBm(典型值,在15 GHz时)
  回波损耗:输入端15 dB(最小值,在15 GHz时),输出端10 dB(最小值,在15 GHz时)
  电源电压:+12 V
  静态电流:250 mA
  封装形式:S8(无引脚表面贴装陶瓷封装)

特性

HMC435AMS8GE是一款高性能的MMIC功率放大器,具有以下显著特点:
  1. 高增益:在宽广的频率范围内保持稳定的增益表现,特别是在15 GHz附近达到16 dB的典型值。
  2. 强大的输出功率:能够实现高达+30 dBm的饱和输出功率以及+27 dBm的1 dB压缩点输出功率。
  3. 内部匹配网络:优化的输入和输出匹配电路减少了对外部元件的需求,从而降低了整体设计复杂性和成本。
  4. 宽带操作能力:覆盖10 GHz至20 GHz的频率范围,适用于多种无线通信应用场景。
  5. 简化的偏置要求:只需单一+12 V电源即可正常运行,并且内置保护二极管确保安全操作。
  6. 小型化设计:采用紧凑的S8封装,便于安装于空间受限的环境之中。

应用

HMC435AMS8GE主要应用于需要高功率和高效率的射频及微波通信系统中,具体包括:
  1. 点对点无线电链路:为长距离数据传输提供可靠支持。
  2. VSAT终端:增强小型卫星通信站的上行链路信号强度。
  3. 测试与测量设备:作为信号源或驱动放大器提高测试精度。
  4. 军事与航空航天领域:如雷达系统、电子战平台等对于高性能射频组件有严格要求的场合。
  5. 其他宽带通信基础设施建设:例如蜂窝网络回传、微波数据链路等。

替代型号

HMC436MS8C, HMC437MS8C

HMC435AMS8GE推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

HMC435AMS8GE资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

HMC435AMS8GE参数

  • 现有数量595现货
  • 价格1 : ¥40.07000带
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态在售
  • 射频类型通用
  • 拓扑-
  • 电路SPDT
  • 频率范围0Hz ~ 4GHz
  • 隔离48dB
  • 插损0.8dB
  • 测试频率2.5GHz
  • P1dB30dBm
  • IIP353dBm
  • 特性-
  • 阻抗50 欧姆
  • 电压 - 供电5V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-MSOP-EP