类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流：40A
　　最大漏极-源极电压：30V
　　最大栅极-源极电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
　　最大功耗：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（表面贴装）

SD405SYGWA/S530-E2 功率 MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件采用 Rohm 独有的沟槽栅极技术，使电流分布更加均匀，从而提升器件的稳定性和可靠性。
　　另一个显著特点是其高耐压能力和高电流承载能力，使其适用于高功率密度设计。该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持较低的工作温度，延长器件使用寿命。
　　此外，SD405SYGWA/S530-E2 具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流电路。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高整体能效。
　　该器件的封装形式为 TO-263，便于表面贴装，适用于自动化生产流程。同时，该封装具有良好的散热性能，能够有效传导热量，提高系统稳定性。

SD405SYGWA/S530-E2 主要应用于高功率和高频开关系统。常见的应用包括 AC-DC 电源适配器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电源管理系统。
　　在电源管理应用中，该 MOSFET 可用于高效能同步整流电路，提高电源转换效率，降低系统功耗。在电机控制领域，其高电流承载能力和快速响应特性使其适用于高性能电机驱动器。
　　此外，SD405SYGWA/S530-E2 也可用于电池供电设备中的功率管理模块，例如笔记本电脑、服务器电源和工业自动化设备。其高可靠性和热稳定性确保在复杂工作环境下仍能保持稳定运行。
　　由于其优异的电气性能和封装设计，该器件也常用于新能源系统，如太阳能逆变器和电动汽车的功率模块。

Si444N10MY, IRF3703PBF, FDP4440, STP40NF03L