类型：IGBT模块
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：600 V
　　额定集电极电流（IC）：80 A
　　短路耐受能力：典型值为10 μs @ 150°C
　　导通压降（VCE_sat）：约1.7 V @ IC=80 A, TJ=25°C
　　开关损耗（Eon/Eoff）：典型值分别为1.5 mJ和3.0 mJ @ IC=80 A, VCE=300 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：双列直插式（DIP）或针式封装
　　绝缘耐压：2500 V AC（1分钟）

FP08G模块采用了富士电机先进的第五代IGBT芯片技术，具备优异的导通和开关性能。其导通压降低至1.7 V左右，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体能效。此外，模块的开关损耗也经过优化，Eon和Eoff分别控制在1.5 mJ和3.0 mJ以内，使得该模块在高频开关应用中表现优异。
　　FP08G模块具有较强的短路耐受能力，能够在极端工况下维持稳定运行，确保系统安全。其最高工作温度可达150°C，适用于高温环境下运行的工业设备。此外，该模块采用标准的双列直插式（DIP）封装设计，便于安装和散热管理，同时提供了高达2500 V AC的绝缘耐压能力，确保电气安全。
　　该模块还具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持性能稳定，适用于变频器、伺服驱动器、UPS电源等高要求的应用场景。

FP08G广泛应用于工业自动化设备、伺服驱动器、通用变频器、UPS不间断电源、光伏逆变器、电动汽车充电设备以及各种中高功率开关电源系统。由于其高效的能量转换能力和稳定的热性能，FP08G在需要高可靠性和高性能的工业控制和能源管理系统中具有很高的适用性。

FP10R06W1K5C6G, FS800R07A2E3_B11