容量：128K x 8位（1Mbit）
　　电压：5V
　　访问时间：15ns
　　封装：52引脚 TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行异步接口
　　数据保持电压：3.0V
　　待机电流：最大10mA
　　输出类型：三态CMOS

HM628100TT15 是一款高性能的异步SRAM芯片，具备15ns的快速访问时间，适用于对响应速度要求较高的系统设计。
　　其128K x 8位的存储结构可提供1Mbit的总容量，适合用作缓存、临时数据存储或程序存储器。
　　该芯片采用CMOS工艺，不仅保证了高速性能，同时也具有较低的功耗，特别适合需要节能设计的嵌入式设备。
　　支持5V单电源供电，简化了电源管理设计，并兼容标准的TTL逻辑电平接口，便于与多种主控芯片连接。
　　在低功耗模式下，数据保持电压可低至3.0V，确保在系统进入待机状态时仍能维持数据完整性。
　　封装形式为52引脚TSOP，适用于空间受限的高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能。
　　此外，HM628100TT15 的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），适用于各种严苛环境下的稳定运行。

该芯片广泛用于需要高速数据存取的场合，如嵌入式控制系统、工业自动化设备、网络通信模块、测试仪器、图像处理设备等。
　　由于其高速访问和低功耗特性，也适用于便携式设备和需要间歇性运行的系统。
　　在需要大量临时数据存储但又不希望使用复杂DRAM管理逻辑的场景中，HM628100TT15 是一个理想的选择。
　　例如，可用于FPGA的外部缓存、单片机系统的扩展内存、数据采集系统的缓冲区等应用场景。

IS62LV1000-15TLI、CY62148EVLL-15Z、IDT71V416SA15PFG、A621008A-15DF1