器件类型：瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array）
　　通道数：1
　　工作电压（VRWM）：1.5V
　　击穿电压（VBR）：典型值1.8V，最大值2.0V
　　钳位电压（VC）：小于6.0V（在IPP=1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs波形）
　　峰值脉冲功率（PPPM）：60W（8/20μs）
　　电容值（C）：典型值45pF（在0V偏压下）
　　漏电流（IR）：最大值1μA（在VRWM条件下）
　　封装类型：SOD-523
　　极性：单向
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

ADT1.5-1+ 的核心特性之一是其极低的工作电压与击穿电压匹配性，适用于1.5V逻辑电平系统的瞬态保护，例如现代低电压数字接口如USB、I2C、GPIO等。由于其工作电压仅为1.5V，该器件能够在不影响正常信号传输的前提下有效抑制ESD事件。其快速响应时间小于1纳秒，可以在瞬态过压发生的瞬间立即导通并将能量泄放到地，防止高压损坏后续集成电路。这种快速反应能力对于应对IEC 61000-4-2标准中规定的±15kV空气放电和接触放电测试至关重要。
　　另一个显著优势是其低结电容特性，典型值为45pF，在高频信号路径中引入的信号失真和衰减非常小，因此非常适合用于高速数据线路的保护。尽管相较于一些超低电容TVS（如0.3pF级别）而言电容稍高，但在1.5V系统中仍处于合理范围，兼顾了保护性能与信号完整性。此外，器件采用单向结构设计，支持直流偏置应用环境，在正常工作状态下呈现极高阻抗，几乎不消耗系统功耗。
　　ADT1.5-1+ 具备优良的热稳定性和多次冲击耐受能力，可承受多次8/20μs电流浪涌冲击而不发生性能退化。其SOD-523封装具有良好的焊接可靠性和机械强度，适合自动化贴片生产流程。整体结构基于成熟的硅PN结技术，具备长期稳定性与一致性，适合在严苛工业环境中长期运行。同时，该器件通过AEC-Q101车规认证的可能性较小，主要定位于消费电子与通用工业领域。

ADT1.5-1+ 主要应用于需要对低电压信号线进行ESD保护的场合，尤其适用于额定电压接近1.5V的数字或模拟接口。常见应用包括便携式消费类电子产品中的传感器信号线保护，例如智能手机和平板电脑中的加速度计、陀螺仪、环境光传感器等I2C/SPI接口的ESD防护。此外，它也适用于微控制器单元（MCU）的GPIO引脚保护，防止因人为接触或环境静电导致芯片损坏。
　　在通信接口方面，该器件可用于RS-232、UART或其他低速串行通信线路的瞬态抑制，提升系统电磁兼容性（EMC）。在电池供电设备中，由于其极低的漏电流（最大1μA），不会显著增加待机功耗，因此特别适合用于物联网（IoT）节点、可穿戴设备和无线传感器网络等对能效要求较高的应用场景。
　　工业控制领域中，ADT1.5-1+ 可用于PLC模块、HMI面板上的低电压信号输入端子保护，抵御来自操作人员或周边电气设备的静电干扰。此外，在汽车电子非关键子系统（如车内信息显示、传感器接口）中也可酌情使用，前提是满足相关EMC测试标准。总之，任何需要在1.5V系统中实现紧凑型、高效能瞬态电压保护的应用均可考虑采用ADT1.5-1+作为解决方案。

SDA1.5-1+
　　Microsemi (now Microchip) ESD5101-15
　　ON Semiconductor NUP1104