时间：2025/9/7 21:56:58
阅读：11
80ZLJ12M5X11 是一款由东芝（Toshiba）生产的分立功率MOSFET器件，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高频率开关应用，具有较低的导通电阻和快速的开关性能，适合用于DC-DC转换器、电源管理和负载开关等场景。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：5A
导通电阻(Rds(on))：最大值12mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：110W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
80ZLJ12M5X11 MOSFET的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低传导损耗并提高效率。该器件采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，使得其在高频开关应用中表现出色。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力条件下的可靠性。
该器件的封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于多种工业和消费类应用。其TO-220封装有助于散热，并且易于安装在散热片上以提高热传导效率。80ZLJ12M5X11还具有较高的电流容量和良好的抗短路能力，使其在高负载条件下也能保持稳定运行。
此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可在+10V至+20V之间工作，这使其兼容多种驱动电路设计。该器件的低输入电容和反向恢复电荷也使其在高频应用中表现优异，减少了开关损耗。
80ZLJ12M5X11 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统以及各种电源管理模块。其高效率和高可靠性使其成为工业控制设备、通信电源、消费类电子产品电源模块以及新能源系统中的理想选择。
在汽车电子系统中，该MOSFET可用于车载电源转换器、LED照明驱动电路以及车载充电系统。由于其优异的热性能和电气性能，也可用于高功率密度设计中，例如小型化电源适配器和高效率电源模块。
此外，该器件还可用于功率因数校正（PFC）电路、逆变器以及UPS（不间断电源）系统，提供高效、稳定的功率开关性能。
SiHF12N120, STP5NM120, FDPF12N120, TK12A120D
