HM514400AZ8 时间：2025/9/7 10:13:38 阅读：5

HM514400AZ8是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于早期的DRAM产品系列，广泛应用于计算机内存、工业设备和其他需要高速数据存储的电子系统中。HM514400AZ8的命名规则中，'HM'代表Hynix Memory，'51'表示DRAM，'44'可能表示数据宽度或其他特定参数，而'00A'则可能代表访问时间或其他性能指标。Z8可能是封装或温度范围的代码。

参数

容量：4Mbit（512K x 8）
　　电源电压：5V
　　访问时间：通常为55ns、70ns或100ns可选
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　工作频率：支持高达约18MHz的频率
　　数据宽度：8位
　　刷新方式：自动刷新
　　引脚数：54-pin

特性

HM514400AZ8是一款高性能的DRAM芯片，具备较低的访问时间和较高的数据吞吐能力，适用于需要快速存取数据的应用场景。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗的特点，同时支持自动刷新功能，能够有效减少外部控制器的负担。其TSOP封装形式使得芯片更加紧凑，适合在空间受限的设备中使用。此外，HM514400AZ8具备良好的稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内正常工作，因此被广泛用于工业控制、通信设备和嵌入式系统中。
　　在性能方面，HM514400AZ8的访问时间通常有55ns、70ns和100ns三种版本，用户可以根据系统需求选择合适的型号。55ns版本适用于高速存储应用，而100ns版本则更适合对成本和功耗要求较高的场合。芯片的5V电源供应确保了其与早期系统的兼容性，尽管相较于现代低电压内存芯片，功耗略高，但在当时的技术背景下是合理的。TSOP封装不仅减小了芯片的体积，还提高了抗干扰能力，增强了信号完整性。工业级温度范围使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行，适用于各种工业和通信设备。