型号：R6004CND
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：4A
　　脉冲漏极电流（Idm）：16A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：32mΩ（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：45mΩ（最大值）
　　栅极电荷（Qg）@10V：9nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：510pF（典型值）
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：18ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：CST3（SOT-723）
　　安装方式：表面贴装

R6004CND具备出色的电气性能和可靠性，其核心优势在于低导通电阻与高速开关能力的结合。在Vgs=10V条件下，Rds(on)最大仅为32mΩ，有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。即使在较低的栅极驱动电压下（如4.5V），其导通电阻仍能保持在45mΩ以内，这使得它非常适合用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场合，无需额外的电平转换或栅极驱动器电路。
　　该器件的开关特性同样优异，开启延迟时间约为10ns，关断延迟时间为18ns，配合仅9nC的栅极电荷（Qg），大幅减少了开关过程中的动态损耗，提升了高频工作的效率。这对于工作频率较高的DC-DC变换器尤为重要，例如同步降压转换器或LED驱动电路。同时，输入电容Ciss为510pF左右，确保了与驱动电路的良好匹配，避免因过高电容导致的驱动困难或振荡问题。
　　R6004CND采用CST3封装，尺寸极小（典型为1.0mm x 1.0mm x 0.58mm），不仅节省宝贵的PCB空间，还通过优化的内部引线设计增强了散热性能。尽管体积小巧，但其可承受的最大结温高达+150°C，具备良好的热稳定性，能在严苛环境下可靠运行。此外，器件经过严格的质量控制，具备优良的抗静电能力和长期稳定性，支持无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子制造的要求。这些综合特性使其成为中小功率开关应用中的理想选择。

R6004CND主要用于各类需要高效、小型化开关元件的电子设备中。常见应用包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，例如智能手机和平板电脑内的负载开关或电池保护电路。在DC-DC转换器中，它可用于同步整流拓扑结构中作为低端开关管，利用其低Rds(on)减少传导损耗，提高转换效率。
　　此外，该器件也广泛应用于电机驱动模块，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为四个桥臂之一的开关元件使用，实现精确的方向与速度控制。在工业控制领域，R6004CND可用于传感器供电的开关控制、继电器驱动缓冲级或PLC输入输出模块中的信号切换功能。
　　由于其封装小巧且易于自动化贴片生产，R6004CND也非常适合用于空间受限的物联网设备、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙模组）以及可穿戴设备中，执行电源路径管理或使能控制等功能。同时，其快速响应特性使其可用于脉冲功率应用，如摄像头闪光灯驱动或超声波发射电路。总之，凡是需要一个高性价比、高性能、小体积N沟道MOSFET的地方，R6004CND都是一个值得考虑的选择。

RN2004CNS