类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：6.5mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

APA2606NI-TRG 的主要特点之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），在 VGS=10V 时仅为 6.5mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高达 60V 的漏源耐压，能够在较宽的电压范围内稳定工作，适用于各种电源转换应用。
　　该 MOSFET 还具有高电流承载能力，最大连续漏极电流可达 30A，使其适用于高功率密度设计。TO-252 封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持较低的结温。
　　另外，APA2606NI-TRG 具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容常见的驱动电路设计，便于集成到各类控制电路中。
　　总体而言，APA2606NI-TRG 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，适用于需要高效能和高稳定性的工业级和消费级电子产品。

APA2606NI-TRG 广泛应用于各种功率电子系统中，包括但不限于：同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理模块以及各种高电流开关电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能电源转换应用的理想选择。
　　在 DC-DC 转换器中，该器件可用于高侧或低侧开关，实现高效的能量转换；在负载开关应用中，APA2606NI-TRG 可用于控制电源的通断，减少静态电流损耗；在电机控制电路中，它可作为 H 桥结构中的功率开关，实现对电机方向和速度的精确控制。
　　此外，该 MOSFET 也适用于需要高可靠性和高耐压能力的工业控制设备、LED 驱动电源、UPS（不间断电源）以及便携式电子设备的电源管理系统。

SiR142DP-T1-GE3, FDD3600NZ, IPD65R019C6, FDS6680