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SI4511DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/7/4 5:29:45 查看 阅读:15

SI4511DY-T1-E3 是一款由 Skyworks Solutions 提供的射频开关芯片,广泛应用于无线通信领域。该器件采用增强型硅锗(SiGe)工艺制造,支持高频信号切换,具有低插入损耗、高隔离度和卓越的线性性能等特性。其设计优化了射频前端模块中的信号路由,适用于蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙和其他射频应用。

参数

类型:射频开关
  封装:TSSOP-16
  工作频率范围:0.1 GHz 至 6 GHz
  插入损耗:0.4 dB(典型值)
  隔离度:28 dB(最小值)
  电源电压:2.7 V 至 5.5 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:4 mm x 4 mm

特性

SI4511DY-T1-E3 是一种高性能单刀双掷(SPDT)射频开关,具备以下特点:
  1. 从 0.1 GHz 到 6 GHz,适合多种射频应用。
  2. 具有极低的插入损耗,能够有效减少信号传输过程中的能量损失。
  3. 提供高隔离度,确保不同射频路径之间无干扰。
  4. 高线性度,能处理大功率信号而不会引入过多失真。
  5. 超小型封装设计,易于集成到紧凑型射频系统中。
  6. 工作温度范围广,适应各种环境条件下的应用需求。

应用

该芯片主要应用于需要高效射频信号切换的场景,包括但不限于:
  1. 蜂窝通信设备中的天线切换。
  2. Wi-Fi 和蓝牙模块中的信号路径选择。
  3. GPS 接收器中的射频前端控制。
  4. 射频测试与测量设备。
  5. 物联网(IoT)设备的射频管理。
  6. 各种手持设备及便携式电子产品的射频信号处理。

替代型号

SI4510DY-T1-E3
  SKY13341-375LF
  RFMWL291

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SI4511DY-T1-E3参数

  • 数据列表SI4511DY
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.2A,4.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14.5 毫欧 @ 9.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4511DY-T1-E3TR