制造商：SK Hynix
　　产品类型：高带宽存储器（HBM）
　　型号：HM-H176DPWR1-8CP1-TG30L
　　容量：每个HBM堆栈通常为4GB或8GB（具体以实际配置为准）
　　带宽：最高可达每秒1TB/s（具体取决于系统实现）
　　数据速率：3.0Gbps/pin
　　电压：1.2V（核心电压）
　　封装类型：堆叠封装（TSV技术）
　　引脚数：1024个接口引脚（典型值）
　　工作温度：商业级（0°C至85°C）
　　接口标准：HBM接口协议
　　通道数：2个独立通道
　　数据宽度：每个通道128位
　　堆叠层数：通常为4层或8层DRAM芯片

HM-H176DPWR1-8CP1-TG30L采用了HBM2（High Bandwidth Memory 2）技术，提供极高的数据传输带宽，适用于需要大规模并行数据处理的应用场景。该模块通过TSV技术实现芯片间垂直互连，极大地减少了信号路径长度，降低了延迟和功耗。此外，该模块集成了多个存储层，形成高密度内存结构，适用于高性能图形处理器（GPU）、AI加速卡和高性能计算（HPC）系统。其低功耗设计使其在高负载运行时仍能保持良好的能效比。模块还支持错误检测与纠正功能，提升系统的稳定性和可靠性。HM-H176DPWR1-8CP1-TG30L的封装尺寸紧凑，适合在空间受限的高端计算设备中使用。此外，其多通道架构支持并行数据访问，进一步提升系统性能。该模块通过JEDEC标准认证，确保与主流平台的兼容性。

HM-H176DPWR1-8CP1-TG30L主要应用于需要高带宽内存的高性能计算设备，包括高端图形处理器（GPU）、AI训练和推理加速卡、FPGA加速器、数据中心服务器、超级计算机、网络交换设备以及高性能嵌入式系统。此外，它也广泛用于图形渲染、科学计算、深度学习、图像识别和实时数据分析等领域。

HM-H176DPWR1-8CP1-TG30L的替代型号可能包括HBM2系列的其他产品，如HBM2E系列的HM212P16CEHR8N-X8E或HM212P16CEHR8N-T8E等。具体替代型号需根据系统设计要求和接口兼容性进行选择。