容量：256Mbit
　　组织结构：4 Banks x 512K x 16
　　电源电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　数据宽度：16位
　　最大访问时间：5.4ns
　　最大工作频率：166MHz
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：LVTTL

HY57V561620CLTP-H 是一款高性能 SDRAM 芯片，支持同步操作，能够与系统时钟保持同步，从而提高数据传输效率。该芯片具有 4 个可独立寻址的存储体（Banks），通过分页操作可以实现快速切换，减少访问延迟。此外，HY57V561620CLTP-H 支持突发模式（Burst Mode），可以按预设的顺序连续传输多个数据单元，进一步提升数据吞吐量。该芯片采用 LVTTL 接口标准，与大多数嵌入式系统和主板兼容。TSOP 封装设计不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，适用于各种高密度 PCB 设计场景。
　　该芯片还支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在不同工作模式下保持数据完整性，降低功耗。在自动刷新模式下，SDRAM 控制器会周期性地刷新存储单元，防止数据丢失；而在自刷新模式下，芯片内部的振荡器负责定时刷新，适合低功耗应用场景。HY57V561620CLTP-H 还支持模式寄存器编程，允许用户根据具体需求配置突发长度、CAS 延迟、写入突发模式等关键参数，从而优化性能。

HY57V561620CLTP-H 广泛应用于需要高速内存支持的嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备以及消费类电子产品中。该芯片常用于需要大容量缓存的场合，例如视频处理、图像缓存、网络数据包存储等领域。在工业控制和自动化系统中，HY57V561620CLTP-H 可作为主存储器或高速缓存使用，提供快速可靠的数据访问能力。此外，该芯片也适用于需要长时间稳定运行的设备，如监控系统、通信基站、路由器和交换机等。

IS42S16400J-6T, MT48LC16M2A2B4-6A