时间：2025/8/2 10:02:10
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SIA472EDJ-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP 封装。该器件专为高效率电源管理应用设计，具备低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等领域。
类型：MOSFET（N 沟道）
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：8.5A
导通电阻（Rds(on)）：17mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：2.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSSOP
引脚数量：8
SIA472EDJ-T1-GE3 具备多项优良特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为 17mΩ，在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其次，该 MOSFET 支持高达 8.5A 的连续漏极电流，适用于中高功率负载的应用场景。器件采用先进的沟槽技术，具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
此外，SIA472EDJ-T1-GE3 的栅极驱动电压范围宽，支持 10V 至 20V 的栅源电压，便于与多种驱动电路兼容。其高耐压特性（Vds=30V）使其在各种 DC-DC 转换器和同步整流器中表现出色。TSSOP 封装设计使其适用于空间受限的电路板布局，同时具备良好的散热性能。
在可靠性方面，该器件通过了 AEC-Q101 汽车级认证，适用于汽车电子系统、工业控制、通信设备等对可靠性要求较高的应用。此外，SIA472EDJ-T1-GE3 还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提升系统响应速度。
SIA472EDJ-T1-GE3 广泛应用于各类电子系统中，特别是在需要高效能功率管理的场景。其典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）、工业自动化设备、服务器电源以及汽车电子系统等。在消费类电子产品中，该器件也常用于便携式设备的电源管理模块，以延长电池寿命并提高系统效率。
Si472EDK-T1-E3, SIA470EDJ-T1-GE3
