LBZX84C12LT1H 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装(SMD)齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件采用 SOD-523 封装,具有小尺寸、低功耗和高稳定性的特点,适用于便携式电子设备、电源管理系统、电池供电设备以及其他需要精密电压参考的电路。
类型:齐纳二极管
封装类型:SOD-523
标称齐纳电压:12.0 V
齐纳电压容差:±1%(在测试电流下)
最大齐纳电流:20 mA
最大功耗:300 mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
测试电流:5 mA
动态电阻(Zzt):450 Ω(最大)
漏电流(IR):100 nA(最大,在额定电压的 10% 以下)
LBZX84C12LT1H 的主要特性之一是其高精度的齐纳电压容差,为 ±1%,这使得它适用于对电压参考精度要求较高的场合。该器件的齐纳电压在测试电流(通常为 5 mA)下保持稳定,并且具有较低的动态阻抗(Zzt),确保在负载变化时输出电压的稳定性。
此外,LBZX84C12LT1H 采用 SOD-523 小型封装,适用于空间受限的设计,如智能手机、可穿戴设备和便携式测量仪器。其低漏电流(最大 100 nA)在低电压条件下也表现出色,有助于降低整体功耗。
该齐纳二极管的工作温度范围宽,从 -55°C 到 +150°C,确保其在极端环境下的可靠运行。最大功耗为 300 mW,允许在有限的散热条件下工作。此外,该器件符合 RoHS 标准,适用于环保型电子产品设计。
LBZX84C12LT1H 主要用于需要稳定 12V 电压参考的电路中。典型应用包括电压监测电路、电源稳压器反馈网络、ADC/DAC 基准电压源、过压保护电路以及电池管理系统中的电压检测部分。
在微控制器系统中,它可以作为比较器的参考电压源,用于检测电池电压是否低于或高于设定阈值。在开关电源设计中,它可用于反馈回路,以维持输出电压的稳定性。
此外,该器件也适用于工业控制系统、传感器接口电路以及各种便携式设备中的低功耗稳压应用。
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"MMBZ5241B-12,115",
"1SMA5918BT3G",
"PMBZ5241B-12R"
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