时间：2025/12/25 1:45:17
阅读：10
HIP6602B 是由 Intersil（现为 Renesas 的一部分）生产的一款双通道、高频、高边 MOSFET 驱动器 IC。该器件专为用于同步整流、DC/DC 转换器和电源管理应用而设计。HIP6602B 采用自举供电方式，适用于驱动 N 沟道 MOSFET。其设计能够提供高驱动电流，以确保在高频开关应用中的高效能。HIP6602B 具有宽输入电压范围、低传播延迟和高抗噪能力，适合用于各种高性能电源系统。
工作电压：4.5V 至 20V
输出驱动电流：典型值为 1.5A（峰值）
工作频率：最高可达 1MHz
输入逻辑电平：兼容 3.3V、5V 和 12V
传播延迟：典型值为 20ns
封装形式：8 引脚 SOIC、8 引脚 DFN
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
HIP6602B 具有多个关键特性，使其在高性能电源应用中表现出色。首先，其双通道高边驱动器设计使其能够高效驱动两个 N 沟道 MOSFET，适用于同步整流和 DC/DC 转换器等应用。其次，该器件支持高达 20V 的输入电压，使其适用于广泛的电源输入条件。HIP6602B 还采用了自举供电方式，以确保高边 MOSFET 在高电压条件下正常工作。此外，其快速传播延迟（典型值为 20ns）和高驱动电流能力（峰值 1.5A）有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。HIP6602B 提供了强大的抗噪能力，确保在高干扰环境下稳定运行。其输入逻辑兼容 3.3V、5V 和 12V，适用于多种控制电路设计。最后，该 IC 提供了宽温度范围（-40°C 至 +125°C），适合在恶劣环境中使用。
HIP6602B 的封装形式包括 8 引脚 SOIC 和 8 引脚 DFN，便于 PCB 布局和散热管理。其低静态电流设计也有助于提高系统能效。HIP6602B 还内置了欠压锁定（UVLO）功能，以防止在电源电压不足时误操作，从而保护系统免受损坏。这些特性使 HIP6602B 成为高性能电源转换应用的理想选择，尤其是在需要高频操作和高效能的场合。
HIP6602B 主要用于需要高频率和高效能的电源转换系统中。其典型应用包括同步整流电路、DC/DC 转换器、服务器电源、通信电源、工业电源、电池充电器以及各种高性能开关电源。在这些应用中，HIP6602B 能够有效驱动高边 N 沟道 MOSFET，提高转换效率并减少开关损耗。此外，该 IC 还适用于多相电源系统，作为驱动器部分以实现并联功率级的高效管理。由于其优异的抗噪能力和宽输入电压范围，HIP6602B 也适用于电磁干扰（EMI）较强的工业环境和车载电源系统。其快速响应和低延迟特性使其适用于高频 PWM 控制器配合使用的拓扑结构，如降压（Buck）、升压（Boost）和反相（Inverting）转换器。
HIP6601B、HIP6603B、LM5101B、IRS2104、TC4420
