容量：8GB（64Gb）
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　电压：1.1V（VDD）/ 1.8V（VDDQ）
　　数据速率：4266Mbps
　　封装：128-ball FBGA
　　工作温度：-40°C至+85°C

H9HCNNNFAMALTR-NEE 的主要特性之一是其高速数据传输能力，支持高达4266Mbps的数据速率，这对于处理高分辨率视频、大型游戏和多任务操作至关重要。
　　此外，这款LPDDR4内存采用了先进的制造工艺，能够在保持高性能的同时实现更低的功耗，从而延长移动设备的电池寿命。
　　其低电压设计（1.1V VDD 和 1.8V VDDQ）有助于进一步降低功耗和热量生成，提高系统的稳定性和可靠性。
　　该芯片还支持多种节能模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电电源下降模式，以适应不同的使用场景并优化能效。
　　在封装方面，H9HCNNNFAMALTR-NEE 使用了128-ball FBGA封装，具有较小的尺寸和较高的集成度，非常适合用于空间受限的便携式电子产品。

H9HCNNNFAMALTR-NEE 主要应用于高端智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及需要高性能内存的嵌入式系统和工业计算机。由于其出色的性能和能效，这款DRAM芯片也适用于需要大量数据处理的应用，如增强现实（AR）、虚拟现实（VR）、人工智能（AI）边缘计算设备以及高性能计算模块。
　　在消费类电子产品中，它可以为用户提供流畅的操作体验，特别是在运行大型应用程序、高清视频播放和复杂的游戏时表现优异。
　　在工业和汽车电子领域，这款内存芯片也能够满足对可靠性和稳定性有严格要求的应用场景。

H9HKNNNFBMAMTR-NEE, H9HPNNNFBMAMTR-NEE