类型：硅开关二极管
　　配置：双二极管（两个独立的二极管）
　　封装类型：SOT-23
　　最大反向电压：100V
　　最大正向电流：300mA
　　最大反向漏电流：100nA（在100V时）
　　正向电压降：1V（在10mA时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　电容：4pF（典型值，1MHz测试频率）
　　反向恢复时间：4ns（最大值）

MMBD4148CCD5具有快速的反向恢复时间（最大为4ns），使其非常适合用于高频开关应用。该器件的低电容特性确保了在高速信号路径中不会引入显著的信号失真。此外，其SOT-23封装体积小巧，节省电路板空间，并支持自动化生产流程。该二极管能够在宽温度范围内稳定工作，可靠性高，适用于恶劣环境下的应用。
　　该器件的双二极管结构设计允许其在多种配置下使用，例如独立的开关二极管或作为输入保护器件。MMBD4148CCD5的低泄漏电流（最大100nA）有助于降低待机功耗，提高电路效率。其正向电压降在10mA时为1V，属于标准范围内，确保了良好的导通性能。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，适合环保要求较高的应用场合。

MMBD4148CCD5主要应用于通信设备、计算机主板、电源管理电路、测试设备以及各种工业控制设备中。由于其高频特性，该器件常用于射频（RF）开关电路、信号整流电路、电压钳位电路和静电放电（ESD）保护电路。此外，MMBD4148CCD5也常用于数字逻辑电路中的输入/输出保护，防止过压和反向电流对敏感元件造成损坏。在汽车电子系统中，该器件可作为传感器信号路径中的保护元件，提高系统稳定性和可靠性。

1N4148WS, MMBD4148, BAS416, LL4148, MMBD4148-7