W971GG8JB-3是一款由Winbond公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于1GB容量的DRAM存储器,采用DDR3技术,适用于需要高性能内存的嵌入式系统和计算设备。这款芯片的封装类型为TSOP(薄型小外形封装),适合在有限空间内提供高存储密度。W971GG8JB-3以其高性能、低功耗和高可靠性著称,广泛应用于工业设备、汽车电子、消费电子产品等领域。
容量:1GB
类型:DRAM
技术:DDR3 SDRAM
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C至+85°C
电源电压:2.3V至3.6V
时钟频率:最高支持166MHz(等效于333MHz数据速率)
数据宽度:16位
接口类型:并行
封装尺寸:54引脚
工作模式:自动刷新、自刷新
访问时间:5.4ns
最大功耗:1.2W
W971GG8JB-3是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,采用先进的DDR3技术,提供高达166MHz的时钟频率,等效于333MHz的数据传输速率。其TSOP封装设计使得芯片在空间受限的应用中更加适用,同时保持良好的散热性能。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,有效延长数据保存时间,减少系统功耗。W971GG8JB-3的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种工业和汽车应用环境。此外,该芯片具备良好的抗干扰能力和稳定性,能够在复杂电磁环境中可靠运行。其并行接口设计使得数据访问更加高效,适用于需要快速数据处理的嵌入式系统。W971GG8JB-3还支持多种低功耗模式,包括待机模式和深度掉电模式,以满足不同应用场景下的功耗需求。此外,该芯片的高集成度设计减少了外部电路的复杂性,提高了系统的整体可靠性。
W971GG8JB-3广泛应用于多种嵌入式系统和计算设备中,如工业控制设备、自动化系统、汽车电子模块、消费电子产品(如智能电视和机顶盒)、网络设备和存储系统。其高容量和低功耗特性使其特别适用于需要长时间稳定运行的工业和汽车应用。此外,该芯片也常用于数据采集系统、图像处理设备以及高性能计算模块中。
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