HHM1711N1 时间：2025/12/5 18:14:14 阅读：26

HHM1711N1是一款高性能的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效率的功率转换应用而设计。该器件采用先进的氮化镓半导体技术，具备优异的开关特性与导通性能，适用于现代电源系统中对小型化、高效化有严苛要求的应用场景。HHM1711N1通常被用于射频功率放大器、DC-DC转换器、无线充电系统以及各类工业和通信电源设备中。其封装形式紧凑，有助于降低寄生电感，提升整体系统效率。该芯片由知名功率半导体厂商推出，符合RoHS环保标准，并通过了多项可靠性认证，确保在严苛工作环境下的稳定运行。凭借其卓越的热性能与电气性能，HHM1711N1成为替代传统硅基MOSFET的理想选择，尤其在需要高频操作和高功率密度的设计中表现突出。

参数

型号：HHM1711N1
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（e-GaN FET）
　　漏源电压（V_DS）：100 V
　　栅源电压（V_GS）：±20 V
　　连续漏极电流（I_D）：30 A
　　脉冲漏极电流（I_DM）：120 A
　　导通电阻（R_DS(on)）：11 mΩ
　　阈值电压（V_th）：2.0 V（典型值）
　　输入电容（C_iss）：4500 pF
　　输出电容（C_oss）：650 pF
　　反向恢复电荷（Q_rr）：0 C
　　最大工作结温：150 °C
　　封装形式：DFN8x8 或类似低电感表面贴装封装
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　极性：N沟道

特性

HHM1711N1的核心优势在于其基于氮化镓材料的器件结构，相较于传统的硅基MOSFET，具有更低的导通电阻与更快的开关速度。这种材料特性显著降低了开关损耗与导通损耗，从而提升了整体电源系统的能效。器件的低R_DS(on)值（仅11mΩ）意味着在大电流工作条件下仍能保持较低的温升，提高了系统的热稳定性。此外，其近乎为零的反向恢复电荷（Q_rr）使得在桥式电路或同步整流应用中不会产生额外的换向损耗，极大减少了电磁干扰（EMI）并简化了驱动设计。
　　该器件具备出色的高频响应能力，支持数百kHz至数MHz级别的开关频率，非常适合用于高密度电源模块、服务器电源、电信整流器以及激光驱动等对动态响应要求高的场合。其封装采用低寄生电感设计，有效抑制了开关过程中的电压过冲与振荡问题，增强了系统可靠性。同时，HHM1711N1内置的静电放电（ESD）保护机制提升了器件在制造和使用过程中的鲁棒性。
　　温度稳定性方面，该器件可在高达150°C的结温下持续工作，配合良好的散热设计可实现长期稳定运行。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常为5V驱动），便于与现有控制IC集成。整体而言，HHM1711N1代表了当前宽禁带半导体技术的发展方向，是实现绿色能源转换与高功率密度设计的关键元件之一。

应用

HHM1711N1广泛应用于多种高效率电力电子系统中。典型用途包括高频DC-DC降压/升压转换器，特别是在数据中心服务器电源、POL（Point-of-Load）转换器以及车载OBC（车载充电机）中表现出色。由于其优异的开关性能，也常用于无线充电发射端电路，以提高能量传输效率并减小线圈尺寸。在射频领域，该器件可用于L波段至S波段的射频功率放大器设计，适用于雷达、通信基站和工业加热设备。此外，在太阳能逆变器、UPS不间断电源及高端LED驱动电源中，HHM1711N1都能发挥其高效率与高可靠性的优势。其紧凑的封装形式还使其适合用于空间受限的便携式高功率设备中。