时间：2025/8/2 6:23:15
阅读：18
DMP3037LSSQ-13 是一款由 Diodes 公司生产的双 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的 Trench MOS 工艺制造，具有低导通电阻和高性能的特点。该器件广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等需要高效能功率开关的场合。DMP3037LSSQ-13 采用 8 引脚的 SOIC 封装，适用于表面贴装工艺，便于在 PCB 上进行高密度布局。
类型：MOSFET（双 N 沟道）
漏极电流（Id）：6.0A（每通道）
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：24mΩ @ Vgs = 10V
导通电阻（Rds(on)）：32mΩ @ Vgs = 4.5V
功率耗散：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：8-SOIC
DMP3037LSSQ-13 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），在 Vgs = 10V 时仅为 24mΩ，这有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。在较低的栅极驱动电压（如 4.5V）下，其 Rds(on) 也保持在较低水平（32mΩ），这使得该器件能够兼容多种栅极驱动电路，包括由低压微控制器提供的驱动信号。
该 MOSFET 采用 Trench MOS 技术，提升了沟道密度，从而在相同的芯片面积下实现了更低的 Rds(on) 和更高的电流承载能力。Trench 结构还改善了热性能，使器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
DMP3037LSSQ-13 支持高达 6A 的连续漏极电流（每通道），适用于中等功率的开关应用。其 30V 的漏极-源极电压额定值使其能够在常见的低压电源系统中使用，例如 12V、24V 电源系统。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，具有较强的抗电压波动能力，同时也支持标准逻辑电平（如 5V 和 3.3V）的直接驱动，简化了外围驱动电路的设计。
在封装方面，DMP3037LSSQ-13 采用 8 引脚 SOIC 封装，具有良好的热管理性能和机械稳定性，适用于自动化贴片工艺和高密度 PCB 布局。
DMP3037LSSQ-13 广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。在同步整流 DC-DC 转换器中，该器件可以用作高侧或低侧开关，利用其低导通电阻的优势提高转换效率。在负载开关电路中，DMP3037LSSQ-13 可以用于控制电源路径，实现对负载的快速接通与关断，适用于电池供电设备和便携式电子产品中的电源管理。
该 MOSFET 还可用于电机驱动、LED 照明调光电路、电源冗余系统（如 N+1 电源配置）以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其支持标准逻辑电平驱动，因此非常适合与微控制器或数字信号处理器配合使用，实现精确的功率控制。
此外，DMP3037LSSQ-13 的高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于汽车电子、通信设备、消费类电子产品和工业控制系统等对稳定性和耐用性有较高要求的应用场景。
Si3442DV-T1-E3, FDS6675CZ, DMP3036LSSQ-13
