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CXE2022SB 发布时间 时间:2025/8/15 8:47:01 查看 阅读:8

CXE2022SB是一款由Cissoid公司设计的高可靠性、高温耐受型电子元器件,主要面向电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及工业电源系统等高要求应用场景。该器件是一款SiC(碳化硅)功率模块的驱动芯片,专为驱动碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)而优化,具备出色的抗干扰能力和快速的响应时间。

参数

工作温度范围:-55°C至+175°C
  输出驱动电流:±2.5A(最大)
  电源电压范围:15V至30V
  传输延迟时间:100ns(典型值)
  共模瞬态抗扰度(CMTI):>50kV/μs
  封装类型:双列直插式封装(DIP)
  绝缘耐压等级:>5000Vrms
  工作湿度范围:<85% RH

特性

CXE2022SB具备高温耐受性和高可靠性,能够在极端环境条件下稳定工作,满足汽车和工业领域的严苛要求。其高隔离电压设计确保了在高压系统中的安全性,同时具备出色的共模瞬态抗扰度(CMTI),有效防止高频噪声对信号传输的干扰。该芯片内置欠压锁定(UVLO)保护功能,确保在电源电压不足时自动关闭输出,防止误操作。此外,其短路保护和过热保护功能增强了系统的稳定性与安全性。CXE2022SB采用双列直插式封装,便于安装和维护,同时具备良好的热管理能力,适用于紧凑型高功率系统设计。
  CXE2022SB还支持高频率开关操作,适用于现代电力电子系统中对效率和功率密度的高要求场景。其高速传输延迟和低传播延迟偏差,使其在并联或桥式拓扑结构中具有出色的同步性能。该芯片兼容多种SiC MOSFET模块,具备广泛的适用性,并可通过外部电阻调节驱动电流,实现灵活的系统配置。

应用

CXE2022SB主要应用于电动汽车电驱系统、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、工业逆变器、可再生能源系统(如光伏逆变器)以及智能电网设备等领域。其高可靠性和高温耐受性使其特别适合在恶劣环境中工作的系统,如高温、高湿度或强电磁干扰环境下运行的电力电子设备。

替代型号

ACPL-KR24, Si8235BB-D-ISR

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