时间：2025/9/14 13:28:10
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PESD1IVN24-A 是一款由Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）生产的单向静电放电（ESD）保护二极管，专为保护敏感电子设备免受静电放电和瞬态电压影响而设计。该器件采用SOT-23（TO-236）封装，适用于便携式电子设备、通信系统和工业控制等需要高可靠性和高集成度的应用场景。
工作电压：24V
最大反向关断电压：24V
钳位电压：35V（最大值，Ipp=1A）
峰值脉冲电流（Ipp）：1A（8/20μs波形）
反向漏电流：100nA（最大值，@24V）
响应时间：小于1ns
封装类型：SOT-23（TO-236）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
PESD1IVN24-A 采用先进的硅雪崩技术，能够在极短时间内对静电放电事件做出反应，提供快速且高效的保护。
其低电容特性（典型值为3pF）使其适用于高速信号线路的保护，不会对信号完整性造成显著影响。
该器件具有低漏电流和高可靠性，能够在极端温度条件下稳定工作。
由于其紧凑的SOT-23封装，PESD1IVN24-A非常适合用于空间受限的设计，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
此外，该器件符合IEC 61000-4-2标准，能够承受高达±30kV的空气和接触放电，具有极高的抗静电能力。
PESD1IVN24-A 主要用于保护通信接口（如USB、HDMI、RS-485等）和传感器线路免受静电放电和其他瞬态电压的损害。
广泛应用于便携式电子产品、计算机外设、消费类电子设备、工业控制系统和汽车电子系统等领域。
在汽车应用中，该器件可用于保护车载娱乐系统、导航设备和通信模块等敏感电子组件。
此外，该器件也适用于医疗设备、测试仪器和安防系统等对可靠性要求较高的应用场景。
PESD1CAN, PESD1CAN-A, PESD1IVN24
